IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon و IPB037N06N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB100N04S4H2ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.0 V to 3.5 V
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (unlimited)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C (junction)
العلبة / الحالة — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
حالة RoHS — Compliant
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر