IPB100N04S4H2ATMA1 vs IPB037N06N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB100N04S4H2ATMA1 توسط Infineon و IPB037N06N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB100N04S4H2ATMA1 IPB037N06N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel, Enhancement Mode —
Technology OptiMOS-T2 (trench gate) OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2.0 V to 3.5 V
RDS(on) at VGS=10V 2.4 mΩ typical —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C 115 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temp range] —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (up to 260C peak reflow) 1 (unlimited)
Avalanche Energy (EAS) 100% avalanche tested —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant (Green Product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPB037N06N3GATMA1
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) Max — 3.7 mOhm at VGS=10V
Total Power Dissipation (Pd) at Tc — 188 W
محدوده دمای کاری — -55 C to +175 C (junction)
بسته‌بندی / کیس — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: gate charge value]
وضعیت RoHS — Compliant
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to drain

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت