IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB107N20N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB200N25N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPB107N20N3GATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | 3 (2+tab) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |