IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB107N20N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB200N25N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB107N20N3GATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | 3 (2+tab) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| Klorürsüz | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |