IPB107N20N3GATMA1 vs IPB200N25N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB200N25N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPB107N20N3GATMA1 | IPB200N25N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 88 A | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | 300 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55C to +175C |
| پیکیج | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab | 3 (2+tab) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench) |
| Part Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 250 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 64 A |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 300 W |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 20 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] |
| Gate Charge (Q_g) | — | [DATA_NEEDED: Q_g typical] |
| ہیلوجن فری | — | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |