IPB120P04P4L03ATMA2 vs IRF4905SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon و IRF4905SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPB120P04P4L03ATMA2 | IRF4905SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Transistor Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 120 A | -42 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 136 W | 170 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | -2.0 V to -4.0 V |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +175C | -55 C to +150 C |
| العلبة | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | D2PAK (TO-263) surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology Family | OptiMOS-P2 | — |
| Configuration | Single P-Channel MOSFET | — |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant (per Infineon product page) | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Polarity | — | P-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 20 mOhm @ VGS = -10V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] |
| Technology | — | HEXFET, planar cell |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC (typical per Mouser listing) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Qualification | — | JEDEC standard |