IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB60R125C6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R125C6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R125C6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
تبديد القدرة (TC=25°C) 227 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C —
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
مستوى MSL 1 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS™ C6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 125 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 219 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +150°C
العلبة / الحالة — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Supplier Device Package — PG-TO263-3
Lead-Free Status — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر