IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB60R125C6ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPB60R125C6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R125C6ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
اتلاف توان (TC=25°C) 227 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C —
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS™ C6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 125 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 219 W
دمای اتصال کاری — -55°C to +150°C
بسته‌بندی / کیس — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Supplier Device Package — PG-TO263-3
Lead-Free Status — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت