IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB60R125C6ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPB60R125C6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R040CFD7ATMA1 IPB60R125C6ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
פיזור הספק (TC=25°C) 227 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS™ C6
Part Status — Active
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 125 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 219 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55°C to +150°C
מארז / Case — PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount)
Supplier Device Package — PG-TO263-3
Lead-Free Status — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר