IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon و IPB120P04P4L03ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB70N10S3L12ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55C to +175C
العلبة / الحالة PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS — Compliant (per Infineon product page)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر