IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB70N10S3L12ATMA1 توسط Infineon و IPB120P04P4L03ATMA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB70N10S3L12ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C -55C to +175C
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
بدون هالوژن Yes —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS — Compliant (per Infineon product page)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت