IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB70N10S3L12ATMA1 tarafından Infineon ve IPB120P04P4L03ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB70N10S3L12ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Paket / Kas PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
Klorürsüz Yes —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Paket — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu — Compliant (per Infineon product page)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin