IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon ו IPB120P04P4L03ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB70N10S3L12ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C -55C to +175C
מארז / Case PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
נטול הלוגנים Yes —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
מארז — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
מספר פינים — 3 (Gate, Drain, Source)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS — Compliant (per Infineon product page)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר