IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPB120P04P4L03ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB120P04P4L03ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB120P04P4L03ATMA2 IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 - 40V P-Channel MOSFET, 120A, D2PAK | Infineon

IPB120P04P4L03ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB70N10S3L12ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C -55C to +175C
پیکیج / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
ہیلوجن فری Yes —
Transistor Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 120 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 136 W
On-Resistance (RDS(on)) — 3.1 mΩ (typ, per Infineon summary)
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Technology Family — OptiMOS-P2
Configuration — Single P-Channel MOSFET
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس — Compliant (per Infineon product page)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں