IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon و IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة / الحالة PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
خالٍ من الهالوجين Yes —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 C to +175 C
العلبة — PG-TO252-3-313 (DPAK)
عدد الدبابيس — 3 (2 + Tab)
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر