IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD90P04P4L04ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB70N10S3L12ATMA1 IPD90P04P4L04ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS (IPB70N10) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
پیکیج / کیس PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified AEC-Q101 qualified
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
ہیلوجن فری Yes —
Part Number — IPD90P04P4L04ATMA2
Family — OptiMOS-P2
Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -40 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — -90 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 125 W
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V — 4.3 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Maximum Junction Temperature — 175 C
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پیکیج — PG-TO252-3-313 (DPAK)
پنز کی تعداد — 3 (2 + Tab)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں