IPB70N10S3L12ATMA1 vs IPD90P04P4L04ATMA2 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon ו IPD90P04P4L04ATMA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB70N10S3L12ATMA1 | IPD90P04P4L04ATMA2 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS (IPB70N10) | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 70 A | — |
| Peak Drain Current (IDM) | 180 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 11.8 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 125 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| מארז / Case | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 qualified |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) | — |
| RoHS / Green | RoHS Compliant, Green Product | — |
| Avalanche Tested | 100 % Avalanche Tested | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| Part Number | — | IPD90P04P4L04ATMA2 |
| Family | — | OptiMOS-P2 |
| Channel Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | -40 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | -90 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 125 W |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | — | 4.3 mOhm |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55 C to +175 C |
| מארז | — | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| מספר פינים | — | 3 (2 + Tab) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |