IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD50N06S409ATMA2 بواسطة Infineon و IPD038N06N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 °C to +175 °C | — |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| عدد الأطراف | 3 (2 + Tab) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| مستوى MSL | — | 1 |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |