IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD50N06S409ATMA2 bằng Infineon và IPD038N06N3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD50N06S409ATMA2 - 60V 50A 9mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPD50N06S409ATMA2 ✓ Hoạt độngInfineon
IPD038N06N3GATMA1 - 60V 90A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon
IPD038N06N3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55 °C to +175 °C | — |
| Hộp | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Số chân | 3 (2 + Tab) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Đông trùng haogen | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |