IPD50N06S409ATMA2 vs IPD038N06N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD50N06S409ATMA2 tarafından Infineon ve IPD038N06N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD50N06S409ATMA2 | IPD038N06N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS) | OptiMOS trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 50 A | 90 A |
| On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at VGS=10V | 9 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 4 V (typ) |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 71 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 °C to +175 °C | — |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | [DATA_NEEDED] | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Series | — | OptiMOS 60V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 3.8 mΩ |
| Total Power Dissipation (PD) at Tc | — | 188 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Klorürsüz | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Polarity | — | N-Channel |