IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R060CFD7AUMA1 بواسطة Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CFD7 CoolMOS CFD7
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-VSON-4-1 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر