IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPL60R060CFD7AUMA1 توسط Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPL60R060CFD7AUMA1 IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 - 600V CoolMOS CFD7 MOSFET, 60mΩ | Infineon

IPL60R060CFD7AUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CFD7 CoolMOS CFD7
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
محدوده دمای کاری -40 °C to +150 °C —
بسته‌بندی PG-VSON-4-1 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK) surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت