IPL60R060CFD7AUMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R060CFD7AUMA1 tarafından Infineon ve IPD60R145CFD7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R060CFD7AUMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS™ CFD7 CoolMOS CFD7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 40 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 219 W —
R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V 60 mΩ —
R_DS(on) (typ, datasheet) 48 mΩ —
Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V 79 nC —
Input Capacitance (C_iss) 3193 pF —
Output Capacitance (C_oss) 62 pF —
Gate-Source Voltage (V_GS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 4.5 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +150 °C —
Paket PG-VSON-4-1 (Surface Mount) TO-252AA (DPAK) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Technology — CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +150C (junction)
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain, Source)
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin