IPL60R210P6AUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R210P6AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R180P6AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPL60R210P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPL60R210P6AUMA1 —
Series CoolMOS™ P6 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Superjunction / CoolMOS™) CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 19.2 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 210 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 151 W —
العلبة PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel —
Packing Quantity [DATA_NEEDED: reel qty] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر