IPL60R210P6AUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPL60R210P6AUMA1 bằng Infineon và IPL60R180P6AUMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET, 19.2A, 210mΩ | Infineon

IPL60R210P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET, 19.2A, 210mΩ | Infineon

IPL60R210P6AUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPL60R210P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPL60R210P6AUMA1 —
Series CoolMOS™ P6 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Superjunction / CoolMOS™) CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 19.2 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 210 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 151 W —
Hộp PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel —
Packing Quantity [DATA_NEEDED: reel qty] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá