IPL60R210P6AUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R210P6AUMA1 द्वारा Infineon और IPL60R180P6AUMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPL60R210P6AUMA1 IPL60R210P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET, 19.2A, 210mΩ | Infineon

IPL60R210P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET, 19.2A, 210mΩ | Infineon

IPL60R210P6AUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPL60R210P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPL60R210P6AUMA1 —
Series CoolMOS™ P6 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Superjunction / CoolMOS™) CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 19.2 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 210 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 151 W —
पैकेज PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel —
Packing Quantity [DATA_NEEDED: reel qty] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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