IPL60R210P6AUMA1 vs IPL60R180P6AUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPL60R210P6AUMA1 מאת Infineon ו IPL60R180P6AUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 - 600V CoolMOS P6 MOSFET 180mΩ | Infineon

IPL60R180P6AUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPL60R210P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPL60R210P6AUMA1 —
Series CoolMOS™ P6 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Superjunction / CoolMOS™) CoolMOS P6 (Superjunction N-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 600 V —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C 19.2 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 210 mΩ —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C 151 W —
מארז PG-VSON-4 (ThinPAK) Surface Mount PG-VSON-4 (Thin-PAK) surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Gate-Source Voltage (Vgs) [DATA_NEEDED: Vgs max rating] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
טווח טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: Tj max / operating range] —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Packaging Tape & Reel —
Packing Quantity [DATA_NEEDED: reel qty] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Gate-Source Voltage (VGS) — -20 V to +20 V (max)
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 22.4 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 180 mΩ
Power Dissipation (Ptot) at Tc=25°C — 176 W
טווח טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
Storage Temperature Range — -55 °C to +150 °C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.5 V to 3.5 V (typical 3.0 V)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר