IPP100N12S305AKSA2 vs IPP320N20N3GXKSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP100N12S305AKSA2 بواسطة Infineon و IPP320N20N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP100N12S305AKSA2 IPP320N20N3GXKSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 3
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C
العلبة PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
نوع التركيب Through Hole Through Hole
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL N/A (Through Hole) Not applicable (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
عدد الدبابيس — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر