IPP100N12S305AKSA2 vs IPP320N20N3GXKSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP100N12S305AKSA2 بذریعہ Infineon اور IPP320N20N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP100N12S305AKSA2 IPP320N20N3GXKSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 3
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C
پیکیج PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول N/A (Through Hole) Not applicable (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
پنز کی تعداد — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں