IPP100N12S305AKSA2 vs IPP320N20N3GXKSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPP100N12S305AKSA2 מאת Infineon ו IPP320N20N3GXKSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPP100N12S305AKSA2 IPP320N20N3GXKSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 3
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C
מארז PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL N/A (Through Hole) Not applicable (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
מספר פינים — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר