IPP100N12S305AKSA2 vs IPP320N20N3GXKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP100N12S305AKSA2 توسط Infineon و IPP320N20N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP100N12S305AKSA2 IPP320N20N3GXKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 OptiMOS 3
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100C) [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, TC=25C) 300 W —
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th)] 4 V
Gate Charge Qg typ @ VGS=10V [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: Qg value] —
Reverse Recovery Charge Qrr [DATA_NEEDED: Qrr value] —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ) -55°C to +175°C
بسته‌بندی PG-TO220-3-1 (Through Hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
نوع نصب Through Hole Through Hole
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL N/A (Through Hole) Not applicable (through-hole)
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Technology — N-Channel Trench MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
تعداد پین‌ها — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت