IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بواسطة Infineon و IQFH55N04NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 degrees C to +175 degrees C —
العلبة PG-TTFN-9-3 PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation)
حالة RoHS Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Part Family — OptiMOS 6
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C — 53 A
Pulsed Drain Current @ TC=25°C — 451 A
Static R_DS(on) (typ) — 0.55 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 214 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55°C to +175°C
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: automotive qualification status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر