IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından Infineon ve IQFH55N04NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 degrees C to +175 degrees C —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Part Family — OptiMOS 6
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C — 53 A
Pulsed Drain Current @ TC=25°C — 451 A
Static R_DS(on) (typ) — 0.55 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 214 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +175°C
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: automotive qualification status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin