IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQFH55N04NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQFH55N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQFH55N04NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 degrees C to +175 degrees C —
پیکیج PG-TTFN-9-3 PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Part Family — OptiMOS 6
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C — 53 A
Pulsed Drain Current @ TC=25°C — 451 A
Static R_DS(on) (typ) — 0.55 mΩ
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 214 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55°C to +175°C
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: automotive qualification status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں