IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR21834STRPBF بواسطة Infineon و IRS2011STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR21834STRPBF IRS2011STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Input Type Inverting, Non-Inverting —
عدد المخارج 2 (High Side / Low Side) 2
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Propagation Delay 180 ns (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes Yes, dV/dt immune
العلبة 14-SOIC (3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
حالة RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
الوظيفة — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر