IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR21834STRPBF מאת Infineon ו IRS2011STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR21834STRPBF IRS2011STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Input Type Inverting, Non-Inverting —
מספר יציאות 2 (High Side / Low Side) 2
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Propagation Delay 180 ns (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes Yes, dV/dt immune
מארז 14-SOIC (3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
סטטוס RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
פונקציה — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר