IR21834STRPBF vs IRS2011STRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR21834STRPBF tarafından Infineon ve IRS2011STRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR21834STRPBF IRS2011STRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side, Independent Channels
Input Type Inverting, Non-Inverting —
Çıkış Sayısı 2 (High Side / Low Side) 2
Number of Drivers 2 —
Peak Source Current 1.9 A —
Peak Sink Current 2.3 A —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage 600 V —
Propagation Delay 180 ns (typical) —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V 3.3 V CMOS / LSTTL
Undervoltage Lockout Yes (both channels) —
dV/dt Immunity Yes —
Negative Transient Tolerance Yes Yes, dV/dt immune
Paket 14-SOIC (3.90 mm width) 8-SOIC (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF suffix)
Fonksiyon — Half-Bridge Gate Driver
Maximum Offset Voltage (High-Side) — 200 V
Output Current (Source / Sink) — 1 A typical / 1 A typical
Propagation Delay (ton/toff) — 60 ns typical
Delay Matching — 20 ns maximum
Bootstrap Supply — Integrated bootstrap diode, floating channel
Suitable Drivers — MOSFETs and IGBTs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin