IRF4905PBF vs IRF4905SPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF4905PBF بواسطة Infineon و IRF4905SPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF4905PBF | IRF4905SPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | P-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET, planar cell |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | -74 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC | 200 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] | -2.0 V to -4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | 120 nC (typical per Mouser listing) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (junction) | — |
| العلبة | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263) surface mount |
| Pin Configuration | Gate - Drain - Source (left to right) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| مستوى MSL | 1 (not moisture-sensitive for TO-220) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | -42 A |
| On-Resistance (RDS(on) max) | — | 20 mOhm @ VGS = -10V |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 170 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +150 C |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| حالة RoHS | — | Compliant (PBF suffix indicates Pb-free) |
| Qualification | — | JEDEC standard |