IRF4905PBF vs IRF4905SPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905PBF بذریعہ Infineon اور IRF4905SPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905PBF IRF4905SPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET, planar cell
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (junction) —
پیکیج TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263) surface mount
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSL لیول 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
RoHS اسٹیٹس — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں