IRF4905PBF vs IRF4905SPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF4905PBF توسط Infineon و IRF4905SPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF4905PBF IRF4905SPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET, planar cell
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] -2.0 V to -4.0 V
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (junction) —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263) surface mount
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
نوع نصب Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
سطح MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
وضعیت RoHS — Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Qualification — JEDEC standard

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت