IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF530NPBF بواسطة Infineon و IRFR4615TRLPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF530NPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة / الحالة | TO-220AB (through-hole) | — |
| نوع التركيب | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | N/A (through-hole) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | — | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +175C |
| العلبة | — | TO-252AA (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| طاقة الانهيار النبضي المفرد | — | 109 mJ |