IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF530NPBF tarafından Infineon ve IRFR4615TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF530NPBF IRFR4615TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Transistor Türü N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket / Kas TO-220AB (through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Technology — IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Paket — TO-252AA (DPAK)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi — 109 mJ

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin