IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF530NPBF بذریعہ Infineon اور IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF530NPBF IRFR4615TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IRF530NPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel HEXFET Power MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 90 mOhm (max, approximate per datasheet) —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Maximum Power Dissition (Pd) at Tc 70 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج / کیس TO-220AB (through-hole) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول N/A (through-hole) —
Configuration Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) —
Technology — IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C
پیکیج — TO-252AA (DPAK)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
سنگل پلس ایوالانچ انرجی — 109 mJ

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں