IRF530NPBF vs IRFR4615TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF530NPBF द्वारा Infineon और IRFR4615TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF530NPBF | IRFR4615TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Part Number | IRF530NPBF | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel HEXFET Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 60 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 90 mOhm (max, approximate per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Maximum Power Dissition (Pd) at Tc | 70 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज / केस | TO-220AB (through-hole) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | N/A (through-hole) | — |
| Configuration | Single N-channel, 3 pins (Gate, Drain, Source) | — |
| Technology | — | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 33 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 42 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 144 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 109 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| पैकेज | — | TO-252AA (DPAK) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | — | 109 mJ |