IRF640NPBF vs IRFB7437PBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF640NPBF بواسطة Infineon و IRFB7437PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRF640NPBF IRFB7437PBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 150 nC
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55C to +150C -55°C to +175°C
Technology HEXFET (5th Generation) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement Mode —
العلبة TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
Silicon-Limited Drain Current — 250 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
مستوى MSL — Not Applicable (through-hole package)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر