IRF640NPBF vs IRFB7437PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF640NPBF מאת Infineon ו IRFB7437PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF640NPBF IRFB7437PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 150 nC
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55°C to +175°C
Technology HEXFET (5th Generation) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
סוג טרנזיסטור N-Channel Enhancement Mode —
מארז TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
Silicon-Limited Drain Current — 250 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
רמת MSL — Not Applicable (through-hole package)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר