IRF640NPBF vs IRFB7437PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF640NPBF توسط Infineon و IRFB7437PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF640NPBF IRFB7437PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) 150 mOhm max at VGS = 10 V —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 150 W —
Total Gate Charge (Qg) 44.7 nC 150 nC
دمای اتصال کاری -55C to +150C -55°C to +175°C
Technology HEXFET (5th Generation) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
نوع ترانزیستور N-Channel Enhancement Mode —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Avalanche Energy Rated Yes —
dv/dt Rating Dynamic, rated —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
Silicon-Limited Drain Current — 250 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
سطح MSL — Not Applicable (through-hole package)
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت