IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRF7343TRPBF بواسطة Infineon و IRF7342PBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IRF7343TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Status | Active | — |
| نوع الترانزستور | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| العلبة | 8-SOIC (SO-8) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Number | — | IRF7342PBF |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Configuration | — | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| العلبة / الحالة | — | 8-SOIC (SO-8) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |