IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7343TRPBF द्वारा Infineon और IRF7342PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7343TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Status | Active | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N and P-Channel Complementary MOSFET Array | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET Generation V) | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel | 55 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) - N-Channel | 4.7 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) - P-Channel | 3.4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel | 0.043 ohm (typical per chipdig.com) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| पैकेज | 8-SOIC (SO-8) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free | Yes | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Part Number | — | IRF7342PBF |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Configuration | — | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| पैकेज / केस | — | 8-SOIC (SO-8) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |