IRF7343TRPBF vs IRF7342PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7343TRPBF tarafından Infineon ve IRF7342PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7343TRPBF IRF7342PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Status Active —
Transistor Türü N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Paket 8-SOIC (SO-8) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7342PBF
Original Mfr — International Rectifier (now Infineon)
Configuration — Dual P-Channel (2 independent MOSFETs)
Drain-Source Voltage V(DSS) — -55 V
Continuous Drain Current I(D) — 3.4 A
On-Resistance R(DS(on)) — 0.105 ohm
Power Dissipation P(D) — 2 W
Paket / Kas — 8-SOIC (SO-8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate Threshold Vgs(th) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Switching Frequency Optimization — < 100 kHz
RoHS Durumu — Compliant
Halogen Status — Halogen-Free
Qualification — JEDEC standard

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin